谭云松笑了起来：“没办法，国内在半导体产业上有着如此快速的提升，这就是一个奇迹呀！根本没办法用科学来解释。”
“这不是谭总最希望看到的结果么。”杨杰笑着道。
次日，杨杰也是出现在了新蓝科技公司的研发中心，会议室里面坐满了公司研发部门的技术工程师，中间还有二十多名的MI国的工程师。
他指着投影屏幕上自制的PPT说道：“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜，这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕获电子，达到存储电荷的目的，带电就是1，不带电就是0。”
杨杰继续说道：“氮化硅之前只是用在对底层金属实现覆盖，因为针孔很少，对水汽和钠在氮化硅材料中扩散非常慢，这次我们将氮化硅注入沟道边沿。”
他看到众人都是露出了困惑的表情，笑着解释道：“我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，在对单元进行写入操作时，采用热电子注入法，将热电子注入沟道边缘的氮化硅，这样就完成了写入过程，在作擦除时，利用价带间的空穴，将空穴注入沟道边缘的氮化硅，消除电荷，就完成了擦除。
“由于氮化硅的绝缘性，热电子效应产生的电子只能被注入并限制在沟道边缘。正是这样，两侧沟道一旦全部带电就是11，全部不带电就是00，但是我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除，就会出现四种情况，一种是01，一种是10，于是我们就在不进行复杂工艺改变的前提下，让现有的闪存容量增加了一倍。”
“在这个基础上，我们可以今后发展出多电压控制栅极多层注入电荷技术产品，实现多层的堆叠，可以用这种技术在现有的制程工艺上最大限度地增加闪存的容量，而不是完全依靠制程工艺的提升，这也大大地降低了闪存的成本。”
听到这里，会议室里一片哗然，众人都是无比惊喜，韩小龙此时激动地鼓掌，随后大家都是跟着用力地鼓起掌来。
“杨少你太神了！我们得赶紧实验！赶紧写论文申请专利！”韩小龙激动地说道。
“杨先生，你的设想太完美了！我觉得可行！真的可行！这个路子怎么以前就没人想到呢！你真是天才！”
此时好几个MI国工程师都是激动地站起来嚷嚷。
“杨少，我有个问题，这种技术路线的确让一个存储单位可以承载四个信息，比以前翻了一倍，可接下来怎么读取呢？”一个工程师举起手问道。
“这四种情况的电压是不同的呀，我们只要设计出一套解码电路，用于读取并解析数据就行，具体的解码电路还需要你们去设定。”杨杰笑着道。
“杨少，我们马上对解码电路进行设计，我差不多有了想法，我保证下一周把芯片设计拿出来，随后就能进行制程工艺流程的设计，最晚月底，我们就可以进行第一次工程流片！”
韩小龙激动地说道。
“很好，我等着你们的好消息。”杨杰看到众人都跟打了鸡血一样，笑着点头道。
现在他捅破了这层窗户纸，新蓝科技公司将成为世界上第一家采用3D闪存技术的设计企业！也可以说是彻底地摆脱目前所受的英特尔和东芝的闪存专利束缚，抵消了需缴纳给国际闪存技术联盟的专利费！
只要芯片流片成功，拿到专利申请，国外的这些闪存大厂反过来还要向公司缴纳专利费！
看到一脸笑容的杨杰站在那里，韩小龙等人心中都是无比感慨：杨少真是一位神人呀！
杨杰也是准备留在这里亲自参与接下来的芯片设计研发，但是第二天一个电话却是让他不得不赶到了电化学实验室——
朱总理来电化学实验室视察了！
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